Компания Samsung планирует интегрировать в свои новые смартфоны новый тип памяти – NAND, соответствующей стандарту UFS 2.0. Напомним, что на данный момент южнокорейский производитель бытовой техники использует память формата eMMC.

Главная особенность новой технологии заключается в ее пропускной способности, проще говоря, в скорости. Например, если стандарт eMMC v5.0 развивает скорость до 400 Мбит/с, то порог работы UFS 2.0 (HS-G3) находится на уровне 1,2 Гбит/с.

Интернет-ресурс ET News утверждает, что новую память получит следующий флагман компании Galaxy S6, который должен появиться весной 2015 года. Это утверждение подтверждает тот факт, что Samsung начнет массовое производства NAND уже в конце текущего года. Также сообщается, что компания намерена в будущем устанавливать подобные модули памяти и в других мобильных устройствах, включая ноутбуки, и даже в картах памяти. Помимо этого, источник сообщает о том, что в будущем компания Xiaomi также намеревается перейти на новый стандарт памяти.